上海集成电路材料研究院申请用于5G毫米波通讯的射频前端专利，显著提高谐振频率

国家知识产权局信息显示，上海集成电路材料研究院有限公司申请一项名为“用于5G通讯的射频前端”的专利，公开号CN121664138A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种用于5G毫米波通讯的射频前端，射频前端包括至少一个体声波谐振器结构，体声波谐振器结构包括衬底、第一电极、压电层和第二电极，第一电极位于衬底上方；压电层位于第一电极上方，压电层包括交替堆叠的第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层和第二薄膜层中至少一层为铁电薄膜层，相邻的第一薄膜层和第二薄膜层的极性相反，以抑制1阶谐振模式，激发N阶谐振模式；第二电极位于压电层上方。本发明中相邻的第一薄膜层和第二薄膜层的极性相反，在维持较厚压电层下激发高阶谐振模态，显著提高谐振频率，通讯频段在n257频段和n258频段内。另外，无需在第一薄膜层和第二薄膜层之间插入电极材料层，结构简单，器件性能高。

天眼查资料显示，上海集成电路材料研究院有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本56640.1026万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路材料研究院有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目70次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息74条，此外企业还拥有行政许可4个。

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本文源自：市场资讯

作者：情报员